BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | নেক্সেরিয়া |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | LFPAK-56D-8 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | এন-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 2 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 60 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 22 ক |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 32 mOhms |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 1.4 ভি |
| Qg - গেট চার্জ: | 7.8 nC |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 175 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 38 W |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| যোগ্যতা: | AEC-Q101 |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | নেক্সেরিয়া |
| কনফিগারেশন: | দ্বৈত |
| পড়ার সময়: | 10.6 এনএস |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| সময় বৃদ্ধি: | 11.3 এনএস |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 1500 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| ট্রানজিস্টরের প্রকার: | 2 এন-চ্যানেল |
| সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময়: | 14.9 এনএস |
| সাধারণ টার্ন-অন বিলম্বের সময়: | 7.1 এনএস |
| অংশ # উপনাম: | 934066977115 |
| একক ভর: | 0.003958 oz |
♠ BUK9K35-60E ডুয়াল এন-চ্যানেল 60 V, 35 mΩ লজিক স্তর MOSFET
TrenchMOS প্রযুক্তি ব্যবহার করে একটি LFPAK56D (Dual Power-SO8) প্যাকেজে ডুয়েল লজিক লেভেল N- চ্যানেল MOSFET।এই পণ্যটি ডিজাইন করা হয়েছে এবং উচ্চ কার্যকারিতা স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য AEC Q101 মানদণ্ডে যোগ্য।
• দ্বৈত MOSFET
• Q101 অনুগত
• পুনরাবৃত্তিমূলক তুষারপাত রেট করা হয়েছে
• 175 °C রেটিং এর কারণে তাপগত চাহিদাপূর্ণ পরিবেশের জন্য উপযুক্ত
• 175 ডিগ্রি সেলসিয়াসে 0.5 V-এর বেশি VGS(th) রেটিং সহ ট্রু লজিক লেভেল গেট
• 12 V স্বয়ংচালিত সিস্টেম
• মোটর, ল্যাম্প এবং সোলেনয়েড নিয়ন্ত্রণ
• সংক্রমণ নিয়ন্ত্রণ
• অতি উচ্চ কর্মক্ষমতা শক্তি স্যুইচিং
