STD86N3LH5 MOSFET N-চ্যানেল 30 V
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ/কেস: | TO-252-3 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | এন-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 1 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 30 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 80 ক |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 5 mOhms |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 22 V, + 22 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 1 ভি |
| Qg - গেট চার্জ: | 14 nC |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 175 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 70 ওয়াট |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| যোগ্যতা: | AEC-Q101 |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| কনফিগারেশন: | একক |
| পড়ার সময়: | 10.8 এনএস |
| উচ্চতা: | 2.4 মিমি |
| দৈর্ঘ্য: | 6.6 মিমি |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| সময় বৃদ্ধি: | 14 এনএস |
| সিরিজ: | STD86N3LH5 |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 2500 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| ট্রানজিস্টরের প্রকার: | 1 এন-চ্যানেল |
| সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময়: | 23.6 এনএস |
| সাধারণ টার্ন-অন বিলম্বের সময়: | 6 এনএস |
| প্রস্থ: | 6.2 মিমি |
| একক ভর: | 330 মিলিগ্রাম |
♠ অটোমোটিভ-গ্রেড N-চ্যানেল 30 V, 0.0045 Ω টাইপ, 80 A STripFET H5 পাওয়ার MOSFET একটি DPAK প্যাকেজে
এই ডিভাইসটি একটি N-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET যা STMicroelectronics' STripFET™ H5 প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে।ডিভাইসটিকে খুব কম অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স অর্জনের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে, এটি একটি FoM-এ অবদান রাখে যা এর ক্লাসের সেরাদের মধ্যে রয়েছে।
• স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং AEC-Q101 যোগ্য
• কম অন-রেজিস্ট্যান্স RDS(চালু)
• উচ্চ তুষারপাত রুগ্নতা
• কম গেট ড্রাইভ পাওয়ার ক্ষতি
• অ্যাপ্লিকেশন পরিবর্তন করা
