VNS1NV04DPTR-E গেট ড্রাইভার OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| পণ্য তালিকা: | গেট ড্রাইভার |
| পণ্য: | MOSFET গেট ড্রাইভার |
| প্রকার: | নিচের দিক |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | SOIC-8 |
| চালকের সংখ্যা: | 2 চালক |
| আউটপুট সংখ্যা: | 2 আউটপুট |
| আউটপুট বর্তমান: | 1.7 ক |
| সরবরাহ ভোল্টেজ - সর্বোচ্চ: | 24 ভি |
| সময় বৃদ্ধি: | 500 এনএস |
| পড়ার সময়: | 600 এনএস |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 40 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 150 সে |
| সিরিজ: | VNS1NV04DP-E |
| যোগ্যতা: | AEC-Q100 |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীল: | হ্যাঁ |
| অপারেটিং সরবরাহ বর্তমান: | 150 uA |
| পণ্যের ধরন: | গেট ড্রাইভার |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 2500 |
| উপশ্রেণি: | PMIC - পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট আইসি |
| প্রযুক্তি: | Si |
| একক ভর: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II সম্পূর্ণরূপে স্বয়ংক্রিয়ভাবে সুরক্ষিত পাওয়ার MOSFET
VNS1NV04DP-E হল একটি যন্ত্র যা দুটি মনোলিথিক OMNIFET II চিপ দ্বারা গঠিত যা একটি স্ট্যান্ডার্ড SO-8 প্যাকেজে রাখা হয়েছে।OMNIFET II STMicroelectronics VIPower™ M0-3 প্রযুক্তিতে ডিজাইন করা হয়েছে: এগুলি DC থেকে 50KHz পর্যন্ত অ্যাপ্লিকেশানগুলির জন্য স্ট্যান্ডার্ড পাওয়ার MOSFET-এর প্রতিস্থাপনের উদ্দেশ্যে তৈরি করা হয়েছে৷থার্মাল শাটডাউন, রৈখিক বর্তমান সীমাবদ্ধতা এবং ওভারভোল্টেজ ক্ল্যাম্প কঠোর পরিবেশে চিপকে রক্ষা করে।
ইনপুট পিনে ভোল্টেজ পর্যবেক্ষণ করে ত্রুটি প্রতিক্রিয়া সনাক্ত করা যেতে পারে।
• রৈখিক বর্তমান সীমাবদ্ধতা
• থার্মাল শাটডাউন
• শর্ট সার্কিট সুরক্ষা
• ইন্টিগ্রেটেড বাতা
• কম কারেন্ট ইনপুট পিন থেকে টানা
• ইনপুট পিনের মাধ্যমে ডায়াগনস্টিক প্রতিক্রিয়া
• ESD সুরক্ষা
• পাওয়ার মসফেটের গেটে সরাসরি অ্যাক্সেস (অ্যানালগ ড্রাইভিং)
• স্ট্যান্ডার্ড পাওয়ার মসফেটের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
• 2002/95/EC ইউরোপীয় নির্দেশের সাথে সম্মতিতে
