NVTFS5116PLTWG MOSFET একক পি-চ্যানেল 60V,14A,52mohm
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | অনসেমি |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | WDFN-8 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | পি-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 1 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 60 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 14 ক |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 52 mOhms |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 3 ভি |
| Qg - গেট চার্জ: | 25 nC |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 175 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 21 W |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| যোগ্যতা: | AEC-Q101 |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | অনসেমি |
| কনফিগারেশন: | একক |
| ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স - ন্যূনতম: | 11 এস |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| সিরিজ: | NVTFS5116PL |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 5000 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| ট্রানজিস্টরের প্রকার: | 1 পি-চ্যানেল |
| একক ভর: | 0.001043 oz |
• কমপ্যাক্ট ডিজাইনের জন্য ছোট পায়ের ছাপ (3.3 x 3.3 মিমি)
• কম RDS(চালু) পরিবাহী ক্ষতি কমাতে
• ড্রাইভারের ক্ষতি কমাতে কম ক্যাপাসিটেন্স
• NVTFS5116PLWF − ওয়েটেবল ফ্ল্যাঙ্ক পণ্য
• AEC−Q101 যোগ্য এবং PPAP সক্ষম
• এই ডিভাইসগুলি Pb−মুক্ত এবং RoHS অনুগত৷
