CSD18563Q5A MOSFET 60V N-চ্যানেল NexFET পাওয়ার MOSFET
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | টেক্সাস ইনস্ট্রুমেন্ট |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | VSONP-8 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | এন-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 1 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 60 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 100 ক |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 6.8 mOhms |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 1.7 ভি |
| Qg - গেট চার্জ: | 15 nC |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 150 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 116 W |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| বাণিজ্যিক নাম: | নেক্সএফইটি |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | টেক্সাস ইনস্ট্রুমেন্ট |
| কনফিগারেশন: | একক |
| পড়ার সময়: | 1.7 এনএস |
| উচ্চতা: | 1 মিমি |
| দৈর্ঘ্য: | 5.75 মিমি |
| পণ্য: | পাওয়ার MOSFETs |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| সময় বৃদ্ধি: | 6.3 এনএস |
| সিরিজ: | CSD18563Q5A |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 2500 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| ট্রানজিস্টরের প্রকার: | 1 এন-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET |
| প্রকার: | 60 V N-চ্যানেল NexFET পাওয়ার MOSFETs |
| সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময়: | 11.4 এনএস |
| সাধারণ টার্ন-অন বিলম্বের সময়: | 3.2 এনএস |
| প্রস্থ: | 4.9 মিমি |
| একক ভর: | 0.003034 oz |
♠ CSD18563Q5A 60 V N-চ্যানেল NexFET™ পাওয়ার MOSFET
এই 5.7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™ পাওয়ার MOSFET ডিজাইন করা হয়েছে CSD18537NQ5A কন্ট্রোল FET-এর সাথে পেয়ার করার জন্য এবং একটি সম্পূর্ণ ইন্ডাস্ট্রিয়াল বক কনভার্টার চিপসেট সমাধানের জন্য সিঙ্ক FET হিসাবে কাজ করার জন্য।
• আল্ট্রা-লো Qg এবং Qgd
• কম রিং করার জন্য নরম বডি ডায়োড
• নিম্ন তাপ প্রতিরোধের
• তুষারপাত রেট
• লজিক লেভেল
• Pb-মুক্ত টার্মিনাল কলাই
• RoHS অনুগত
• হ্যালোজেন বিনামূল্যে
• SON 5 mm × 6 mm প্লাস্টিক প্যাকেজ
• ইন্ডাস্ট্রিয়াল বক কনভার্টারের জন্য লো-সাইড FET
• সেকেন্ডারি সাইড সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফায়ার
• মোটর নিয়ন্ত্রণ
