NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA ডুয়াল এন-চ্যানেল
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | অনসেমি |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | SC-88-6 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | এন-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 2 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 30 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 250 mA |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 1.5 ওহমস |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 800 mV |
| Qg - গেট চার্জ: | 900 পিসি |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 150 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 272 মেগাওয়াট |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | অনসেমি |
| কনফিগারেশন: | দ্বৈত |
| পড়ার সময়: | 82 এনএস |
| ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স - ন্যূনতম: | 80 এমএস |
| উচ্চতা: | 0.9 মিমি |
| দৈর্ঘ্য: | 2 মিমি |
| পণ্য: | MOSFET ছোট সংকেত |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| সময় বৃদ্ধি: | 23 এনএস |
| সিরিজ: | NTJD4001N |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 3000 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| ট্রানজিস্টরের প্রকার: | 2 এন-চ্যানেল |
| সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময়: | 94 এনএস |
| সাধারণ টার্ন-অন বিলম্বের সময়: | 17 এনএস |
| প্রস্থ: | 1.25 মিমি |
| একক ভর: | 0.010229 oz |
• দ্রুত স্যুইচিংয়ের জন্য কম গেট চার্জ
• ছোট পায়ের ছাপ − TSOP−6 থেকে 30% ছোট
• ESD সুরক্ষিত গেট
• AEC Q101 যোগ্য − NVTJD4001N
• এই ডিভাইসগুলি Pb−মুক্ত এবং RoHS অনুগত৷
• কম সাইড লোড সুইচ
• Li−আয়ন ব্যাটারি সরবরাহকৃত ডিভাইস − সেল ফোন, PDA, DSC
• বক কনভার্টার
• লেভেল শিফট
