VNB35N07TR-E পাওয়ার সুইচ আইসি - পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন ওমনিফেটি সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয়ভাবে সুরক্ষিত Pwr MOSFET
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্যের মান |
| প্রস্তুতকারক: | এসটি মাইক্রোইলেকট্রনিক্স |
| পণ্য বিভাগ: | পাওয়ার সুইচ আইসি - পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন |
| প্রকার: | নিম্ন দিক |
| আউটপুট সংখ্যা: | ১ আউটপুট |
| বর্তমান সীমা: | ৩৫ ক |
| প্রতিরোধের উপর - সর্বোচ্চ: | ২৮ এমওএইচএম |
| সময়মতো - সর্বোচ্চ: | ২০০ এনএস |
| বন্ধ সময় - সর্বোচ্চ: | ১ জন আমাদের |
| অপারেটিং সাপ্লাই ভোল্টেজ: | ২৮ ভী |
| সর্বনিম্ন অপারেটিং তাপমাত্রা: | - ৪০ ডিগ্রি সেলসিয়াস |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + ১৫০ সে. |
| মাউন্টিং স্টাইল: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | D2PAK-3 সম্পর্কে |
| সিরিজ: | VNB35N07-E এর জন্য উপযুক্ত। |
| যোগ্যতা: | AEC-Q100 সম্পর্কে |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | রিল |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং বিবরণ: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | এসটি মাইক্রোইলেকট্রনিক্স |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীল: | হাঁ |
| পিডি - বিদ্যুৎ অপচয়: | ১২৫০০০ মেগাওয়াট |
| পণ্যের ধরণ: | পাওয়ার সুইচ আইসি - পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন |
| কারখানার প্যাকের পরিমাণ: | ১০০০ |
| উপবিষয়শ্রেণী: | আইসি স্যুইচ করুন |
| ইউনিট ওজন: | ০.০৭৯০১৪ আউন্স |
♠ ওমনিফেট: সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয়ভাবে সুরক্ষিত পাওয়ার মোসফেট
VNP35N07-E, VNB35N07-E এবং VNV35N07-E হল STMicroelectronics VIPower® প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি একশিলা ডিভাইস, যা DC-তে স্ট্যান্ডার্ড পাওয়ার MOSFET-গুলিকে 50 KHz অ্যাপ্লিকেশনে প্রতিস্থাপনের জন্য তৈরি।
অন্তর্নির্মিত তাপীয় শাটডাউন, রৈখিক কারেন্ট সীমাবদ্ধতা এবং ওভারভোল্টেজ ক্ল্যাম্প কঠোর পরিবেশে চিপকে রক্ষা করে।
ইনপুট পিনের ভোল্টেজ পর্যবেক্ষণ করে ফল্ট ফিডব্যাক সনাক্ত করা যেতে পারে।
• মোটরগাড়িতে যোগ্যতাসম্পন্ন
• রৈখিক বর্তমান সীমাবদ্ধতা
• তাপীয় বন্ধ
• শর্ট সার্কিট সুরক্ষা
• ইন্টিগ্রেটেড ক্ল্যাম্প
• ইনপুট পিন থেকে কম কারেন্ট টানা হয়
• ইনপুট পিনের মাধ্যমে ডায়াগনস্টিক প্রতিক্রিয়া
• ESD সুরক্ষা
• পাওয়ার MOSFET (অ্যানালগ ড্রাইভিং) এর গেটে সরাসরি প্রবেশাধিকার
• স্ট্যান্ডার্ড পাওয়ার MOSFET এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
• স্ট্যান্ডার্ড TO-220 প্যাকেজ
• ২০০২/৯৫/ইসি ইউরোপীয় নির্দেশিকা মেনে চলে
