VNB35N07TR-E পাওয়ার সুইচ ICs - পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন OMNIFETII সম্পূর্ণরূপে অটো প্রোটেক্ট Pwr MOSFET
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| পণ্য তালিকা: | পাওয়ার সুইচ আইসি - পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন |
| প্রকার: | নিচের দিক |
| আউটপুট সংখ্যা: | 1 আউটপুট |
| বর্তমান সীমা: | 35 ক |
| প্রতিরোধের উপর - সর্বোচ্চ: | 28 mOhms |
| সময়ে - সর্বোচ্চ: | 200 এনএস |
| অফ টাইম - সর্বোচ্চ: | 1 আমাদের |
| অপারেটিং সাপ্লাই ভোল্টেজ: | 28 ভি |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 40 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 150 সে |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | D2PAK-3 |
| সিরিজ: | VNB35N07-E |
| যোগ্যতা: | AEC-Q100 |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| প্যাকেজিং: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীল: | হ্যাঁ |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 125000 মেগাওয়াট |
| পণ্যের ধরন: | পাওয়ার সুইচ আইসি - পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 1000 |
| উপশ্রেণি: | আইসি পরিবর্তন করুন |
| একক ভর: | 0.079014 oz |
♠ OMNIFET: সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয় শক্তি MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E এবং VNV35N07-E হল একচেটিয়া ডিভাইস যা STMicroelectronics VIPower® প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে, যা DC-তে 50 KHz অ্যাপ্লিকেশনে স্ট্যান্ডার্ড পাওয়ার MOSFET-এর প্রতিস্থাপনের উদ্দেশ্যে।
অন্তর্নির্মিত তাপ শাটডাউন, রৈখিক বর্তমান সীমাবদ্ধতা এবং ওভারভোল্টেজ ক্ল্যাম্প কঠোর পরিবেশে চিপটিকে রক্ষা করে।
ইনপুট পিনে ভোল্টেজ পর্যবেক্ষণ করে ত্রুটি প্রতিক্রিয়া সনাক্ত করা যেতে পারে।
• স্বয়ংচালিত যোগ্য
• রৈখিক বর্তমান সীমাবদ্ধতা
• থার্মাল শাটডাউন
• শর্ট সার্কিট সুরক্ষা
• ইন্টিগ্রেটেড বাতা
• কম কারেন্ট ইনপুট পিন থেকে টানা
• ইনপুট পিনের মাধ্যমে ডায়াগনস্টিক প্রতিক্রিয়া
• ESD সুরক্ষা
• পাওয়ার MOSFET এর গেটে সরাসরি অ্যাক্সেস (অ্যানালগ ড্রাইভিং)
• স্ট্যান্ডার্ড পাওয়ার MOSFET এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
• স্ট্যান্ডার্ড TO-220 প্যাকেজ
• 2002/95/EC ইউরোপীয় নির্দেশের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
