IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | Infineon |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ/কেস: | TO-252-3 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | এন-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 1 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 40 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 50 ক |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 9.3 mOhms |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 3 ভি |
| Qg - গেট চার্জ: | 18.2 nC |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 175 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 41 W |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| যোগ্যতা: | AEC-Q101 |
| বাণিজ্যিক নাম: | অপটিমোস |
| প্যাকেজিং: | রিল |
| প্যাকেজিং: | টেপ কাটা |
| ব্র্যান্ড: | ইনফাইনন টেকনোলজিস |
| কনফিগারেশন: | একক |
| পড়ার সময়: | 5 এনএস |
| উচ্চতা: | 2.3 মিমি |
| দৈর্ঘ্য: | 6.5 মিমি |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| সময় বৃদ্ধি: | 7 এনএস |
| সিরিজ: | OptiMOS-T2 |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 2500 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| ট্রানজিস্টরের প্রকার: | 1 এন-চ্যানেল |
| সাধারণ টার্ন-অফ বিলম্বের সময়: | 4 এনএস |
| সাধারণ টার্ন-অন বিলম্বের সময়: | 5 এনএস |
| প্রস্থ: | 6.22 মিমি |
| অংশ # উপনাম: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| একক ভর: | 330 মিলিগ্রাম |
• এন-চ্যানেল – এনহ্যান্সমেন্ট মোড
• AEC যোগ্য
• MSL1 260°C পিক রিফ্লো পর্যন্ত
• 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা
• সবুজ পণ্য (RoHS অনুগত)
• 100% তুষারপাত পরীক্ষা করা হয়েছে
