FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ পণ্যের বিবরণ
| পণ্যের গুণাবলী | বীরত্বপূর্ণ কৃতিত্ব |
| প্রস্তুতকারক: | অনসেমি |
| পণ্য বিভাগ: | মোসফেট |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | Si |
| মন্টাজে স্টাইল: | এসএমডি/এসএমটি |
| পাকুয়েট / কিউবিয়ার্তা: | এসএসওটি-৩ |
| ট্রানজিস্টরের পোলারিডেশন: | পি-চ্যানেল |
| খালের সংখ্যা: | ১টি চ্যানেল |
| ভিডিএস - উত্তেজনা বিঘ্নিত হতে পারে | ৩০ ভী |
| Id - Corriente de drenaje continua: | ২ ক |
| Rds অন - রেসিস্টেন্সিয়া entre drenaje y fuente: | ৬৩ এমওএইচএম |
| Vgs - টেনশন entre puerta y fuente: | - ২০ ভোল্ট, + ২০ ভোল্ট |
| Vgs th - Tension umbral entre puerta y fuente: | ৩ ভী |
| Qg - পুয়ের্তো রিকোয়ালিটি: | ৯ এনসি |
| তাপমাত্রা ডি ট্রাবাজো মিনিমা: | - ৫৫ সে. |
| ট্রাবাজ ম্যাক্সিমা তাপমাত্রা: | + ১৫০ সে. |
| ডিপি - ক্ষমতার বিকাশ: | ৫০০ মেগাওয়াট |
| মোডো খাল: | বর্ধন |
| বাণিজ্যিক নাম: | পাওয়ারট্রেঞ্চ |
| এমপাকেটাডো: | রিল |
| এমপাকেটাডো: | টেপ কাটা |
| এমপাকেটাডো: | মাউসরিল |
| ব্র্যান্ড: | অনসেমি / ফেয়ারচাইল্ড |
| কনফিগারেশন: | একক |
| গাড়ির সময়: | ১৩ এনএস |
| ট্রান্সকন্ডাক্টান্সিয়া হ্যাসিয়া ডেলান্ট - মিনিট: | ৫ স |
| আলতুরা: | ১.১২ মিমি |
| দ্রাঘিমাংশ: | ২.৯ মিমি |
| পণ্য: | MOSFET ছোট সংকেত |
| পণ্যের ধরণ: | মোসফেট |
| সময়সীমা: | ১৩ এনএস |
| সিরিজ: | এফডিএন৩৬০পি |
| Cantidad de empaque de fabrica: | ৩০০০ |
| উপবিষয়শ্রেণী: | MOSFET গুলি |
| ট্রানজিস্টরের ধরণ: | ১টি পি-চ্যানেল |
| টাইপ: | মোসফেট |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | ১১ এনএস |
| Tiempo tipico de demora de encendido: | ৬ এনএস |
| আনচো: | ১.৪ মিমি |
| উপনাম দে লাস পাইজাস n.º: | FDN360P_NL সম্পর্কে |
| পেসো দে লা ইউনিডাড: | ০.০০১০৫৮ আউন্স |
♠ সিঙ্গেল পি-চ্যানেল, পাওয়ারট্রেঞ্চো মোসফেট
এই পি-চ্যানেল লজিক লেভেল MOSFETটি ON সেমিকন্ডাক্টর উন্নত পাওয়ার ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে যা বিশেষভাবে অন-স্টেট প্রতিরোধকে কমিয়ে আনার জন্য এবং উচ্চতর সুইচিং কর্মক্ষমতার জন্য কম গেট চার্জ বজায় রাখার জন্য তৈরি করা হয়েছে।
এই ডিভাইসগুলি কম ভোল্টেজ এবং ব্যাটারি চালিত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত যেখানে কম ইন-লাইন পাওয়ার লস এবং দ্রুত স্যুইচিং প্রয়োজন।
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V
· কম গেট চার্জ (সাধারণত 6.2 nC) · অত্যন্ত কম RDS(ON) এর জন্য উচ্চ কর্মক্ষমতা সম্পন্ন ট্রেঞ্চ প্রযুক্তি।
· ইন্ডাস্ট্রি স্ট্যান্ডার্ড SOT-23 প্যাকেজের উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন সংস্করণ। 30% উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন হ্যান্ডলিং ক্ষমতা সহ SOT-23-এর অনুরূপ পিন-আউট।
· এই ডিভাইসগুলি Pb-মুক্ত এবং RoHS সম্মত।
